SK海力士(SK Hynix)宣布领先业界，完成堆栈128层1Tb三阶储存单元(Triple Level Cell；TLC)NAND Flash开发量产。

就在台积电与三星在逻辑芯片制程技术逐渐导入EUV技术之后，存储器产业也将追随。

近期，日本对韩国提出贸易制裁，令韩国业者伤透脑筋。据报导，韩国第二大存储器芯片大厂SK海力士(SK Hynix)已开始测试从国内采购的高纯度氟化氢，以应对日本的半导体材料供应禁令。

从现场给出的技术演示来看，4D闪存和此前长江存储的Xtacking十分相似，只不过外围电路（PUC，Peri．Circuits）在存储单元下方，好处有三点，一是芯片面积更小、二是处理工时缩短、三是成本降低。

SK海力士近日宣布，将在提高第一代10nm级工艺(1xnm) DRAM内存芯片产能的同时，今年下半年开始销售基于第二代10nm级工艺(1ynm)的内存芯片，并为下代内存做好准备。

10月24日 – SK海力士今日宣布截止2019年9月30日的2019年第三季度财务报告。第三季度结合并收入为6.84万亿韩元，营业利润为4726亿韩元，净利润为4955亿韩元。本季度的营业利润率为7%，净利润率为7%。

随着AI人工智能、5G、物联网等技术的发展，大数据时代的到来，给数据存储的高性能和经济效益提出更高的要求，尤其是在大数据中心和企业服务器存储领域。

存储器循环暴起暴落，价格重挫和需求降温，让 SK 海力士（SK Hynix）第一季营益惨摔近 70%，为 2016 年第三季以来最糟表现。

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示，2017年第四季各供货商持续进行3D-NAND的扩产及良率提升，然需求面仅靠智能手机旺季需求动能延续，因此，2017年第四季合约价仅eMMC/UFS上涨0-5%，其他部分如服务器/数据中心、PC及平板等需求力道减缓，合约价呈现持平，甚至出现小跌走势，整体NAND Flash市场趋于供需平衡。

据韩国媒体报道，SK海力士周二表示，与无锡市政府旗下的一个投资实体组成的合资公司，将从今年下半年启动工厂的建设。声明同时指出，该工厂将建立一条新的200毫米晶圆模拟生产线。为此，SK海力士位于韩国清州的设备将在2021年底前运至无锡。

说起韩国巨头SK海力士，大家肯定都知道他家的NAND闪存、DRAM内存芯片，不过其实在早些年，SK海力士还做过零售SSD产品的，只不过一直没有什么突破，就悄悄退出了，专心经营上游芯片。